j9:南京观海微电子---MOS栅极-源极的下拉电阻作用

　　MOSFET栅极-源极下拉电阻可避免米勒电容耦合导致的误注册，并为栅极电荷供给泄放途径，避免静电损害。其阻值统筹泄放速度与功耗，常用于中小功率电源（10K–20K）及大功率使用（4.7K–10K），提高体系可靠性与安全性。

　　当MOSFET关断时，米勒电容的存在，会使MOS管的Vds发生一个电压从挨近0（饱满压降）到母线的改变进程，这个电压改变率便是“dv/dt”，但是电容便是电压改变发生作用的器材，电压在电容两头改变，即发生电流“i”。

　　GS之间有一层绝缘体，也便是二氧化硅（SiO2），因而G-S之间便是高阻抗（几十到几百兆不等），一旦驱动反常，它或许会经过米勒电容的电流给G-S充电，小电流高阻抗或许对应着高电压，栅极电压被充电，当超越门槛电压“Vgs(th)”，就会导致MOSFET从头注册，这是非常风险的状况。

　　能够看这个反激电源拓扑的MOSFET驱动，它便是米勒电容电流经过驱动芯片内部下拉低阻回路进行开释，避免栅极被充高而误导通。

　　在这里咱们就知道了，驱动芯片内部现已存在泄放下拉电阻，但假如驱动电阻Rg在以外状况下开路或许没有衔接，那么下拉电阻（R8）就能够给米勒电容供给泄放途径，让MOS管G-S之间坚持低阻抗，安稳安全状况。这便是下拉电阻的及其重要的作用了。

　　咱们知道MOS管G-S是高阻抗，这也是为什么它是 ESD灵敏器材的原因。它的高电压施加在门极不易泄放，累积进程会损坏G-S极之间那层二氧化硅，导致器材失效。

　　因而，下拉电阻还统筹了功耗和实践泄放作用。一般这个电阻选值在中小功率电源中（0~500W）挑选大约10K-20K，大功率电源挑选4.7K~10K。

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